DMN53D0LW-13

Name: DMN53D0LW-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7145601-DMN53D0LW-13
Price: 0.284429 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 360毫安 (Ta) 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 10000

数量	单价	合计
10000+	0.28442	2844.29000

库存: 0
单价: ¥0.28443
数量:
- +
总计: ¥2,844.29

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
供应商设备包装 SOT-323
包装/外壳 SC-70，SOT-323
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大功耗 320mW (Ta)
漏源电压标 (Vdss) 50 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
漏源电流 (Id) @ 温度 360毫安 (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 270毫安时2欧姆，10伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.2 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 45.8 pF @ 25 V
材质钢

DMN53D0LW-13 产品详情

N沟道MOSFET，40V至90V，二极管公司

DMN53D0LW-13 相关器件

型号	制造商	描述	价格
DMNF1-285-C	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.110英寸（2.79毫米）端接: 压接	¥4.86723
DMNF1-488FIB-M	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 母接头线规: 18-22 AWG 标签宽度: 0.187英寸（4.75毫米）端接: 压接	¥3.47659
DMNF6-63M-L	泛达 (Panduit)	端子类别: 标准连接头材料: 电解铜公母: 公接头线规: 10-12 AWG 标签宽度: 0.250英寸（6.35毫米）端接: 压接	¥2.79576
DMN62D0LFB-7B	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）供应商设备包装: X1-DFN1006-3	¥0.64831
DMN3029LFG-13	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerDI3333-8	¥1.20652
DMN3029LFG-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta）供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.20652
DMN6140L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.7471
DMN2041L	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.50199
DMN6068SE-13-VB		类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A	¥3.32099
DMN2004WK	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.29688

DMN53D0LW-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMN53D0LW-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMN53D0LW-13价格参考￥0.284429，你可以下载 DMN53D0LW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMN53D0LW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！