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DMN3042LFDF-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 10000

数量 单价 合计
10000+ 1.00162 10016.21000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.00162
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10,016.21
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、10伏
  • 供应商设备包装 U-DFN2020-6 (Type F)
  • 最大功耗 2.1W(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13.3 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@4A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 50 V
  • 色彩/颜色 White

DMN3042LFDF-13 产品详情

该MOSFET的设计目的是最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其适合高效电源管理应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 低栅极阈值电压
  • 低输入电容
  • 快速切换速度
  • 低输入/输出泄漏
  • 完全无铅且完全符合RoHS
  • 无卤素和锑。“绿色”设备

应用

  • 电池充电
  • 电源管理功能
  • DC-DC转换器
  • 便携式电源适配器
DMN3042LFDF-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN3042LFDF-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN3042LFDF-13价格参考¥1.001621,你可以下载 DMN3042LFDF-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN3042LFDF-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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