DMNH4011SK3-13
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.6W（Ta） 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 2.78851 | 6971.29250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.78852
-
数量:
- +
- 总计: ¥6,971.29
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 供应商设备包装 TO-252-3
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
- 最大功耗 2.6W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25.5 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@50A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1405 pF@20 V
- 材质 钢
- 色彩/颜色 White
DMNH4011SK3-13 产品详情
Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数，最大限度地减少了功率损耗，从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
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| DMN6140L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.7471 |
| DMN2041L | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.50199 |
| DMN6068SE-13-VB | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,7A | ¥3.32099 | |
| DMN2004WK | 台舟 (TECH PUBLIC) | 暂无 | ¥0.29688 |
DMNH4011SK3-13所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMNH4011SK3-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMNH4011SK3-13价格参考￥2.788517，你可以下载 DMNH4011SK3-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMNH4011SK3-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
