9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN4008LFG-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN4008LFG-13参考价格为0.32155美元。Diodes Incorporated DMN4008LFG-13封装/规格：MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333。您可以下载DMN4008LFG-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN4008LFG-13带有引脚细节，包括DMN40系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为24.4 ns，上升时间为14.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为69.7ns，典型接通延迟时间为8.2ns，Qg栅极电荷为34nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN4008LFG-7，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，具有0.002540 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为8.2 ns，以及69.7 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN40，上升时间为14.1ns，漏极-源极电阻Rds为7mOhms，Qg栅极电荷为34nC，Pd功耗为1W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerDI-3333，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为14.4 A，下降时间为24.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN4009LK3，电路图由DIODES制造。DMN4009LK3在TO-252-2封装中提供，是FET的一部分-单个。
