特色
- VGS=-4.5V，ID=-1A时，最大rDS（开）=85mΩ
- VGS=-2.5V，ID=-1A时，最大rDS（开）=123mΩ
- VGS=-1.5V，ID=-1A时，最大rDS（开）=200mΩ
- 仅占用1.5 mm²的PCB面积小于2 x 2 BGA面积的50%
- 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.65mm
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 电池管理
- 负载开关
- 蓄电池保护
FDZ191P
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.9W（Ta） 供应商设备包装: 6-WLCSP (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥2.32968
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.33
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 最大功耗 1.9W（Ta）
- 部件状态 上次购买
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
- 包装/外壳 6-UFBGA, WLCSP
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 10 V
- 供应商设备包装 6-WLCSP (1x1.5)
- 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 1A, 4.5V
FDZ191P 产品详情
FDZ191P采用先进的1.5V PowerTrench工艺和最先进的“低间距”WLCSP封装工艺设计，最大限度地减少了PCB空间和rDS（开）。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形封装、低栅极电荷和低rDS（on）。
FDZ191P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDZT40RB5.1 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | FDZT40RB7.5 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | FDZT40RB5.6 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.42733 |
 | FDZT40RB6.2 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.47755 |
 | FDZT40RB6.8 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.85418 |
 | FDZT40RB8.2 | 罗姆 (Rohm) | DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402 | ¥2.46259 |
 | FDZ1323NZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
 | FDZ2554PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.27331 | |
 | FDZ4002L | 安盛美 (onsemi) | IC POWER MANAGEMENT | ¥45.72731 |
| FDZ5013C-1 | DOUBLER,FREQUENCY | ¥0.00 |
FDZ191P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDZ191P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDZ191P价格参考￥2.329679，你可以下载 FDZ191P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDZ191P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
