9icnet为您提供Diodes公司设计和生产的DMN63D1LT-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN63D1LT-13参考价格为0.14243美元。Diodes Incorporated DMN63D1LT-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523。您可以下载DMN63D1LT-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN63D1LT-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN63D1LDW-7，带引脚细节，包括DMN63系列，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，FET类型为2 N通道（双通道），该器件的最大功率为310mW，该器件具有60V的漏极到源极电压Vdss，输入电容Ciss Vds为30pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为250mA，最大Id Vgs为2 Ohm@500mA，10V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为0.3nC@4.5V。
DMN63D1LDW-13带用户指南，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-23供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于2 Ohm@500mA，10V，提供310mW等最大功率功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供30pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有0.3nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为250mA。
DMN63D0LT-7是MOSFET N-CH 100V SOT523，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于SOT-523-3封装盒，数据表中显示了用于替代封装的封装，提供DMN63等系列功能，技术设计用于Si，以及0.000071盎司的单位重量，该器件也可以用作100V Vds漏极-源极击穿电压。
DMN63D1L-13带有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于DMN63。
