9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN61D9UW-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN61D9UW-13参考价格$0.04525。Diodes Incorporated DMN61D9UW-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323。您可以下载DMN61D9UW-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN61D9UW-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN61D8LVT-7，带有引脚细节，包括DMN61系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装外壳功能。技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为820mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为12.9pF@12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为630mA，最大Id Vgs的Rds为1.8 Ohm@150mA，5V，Vgs最大Id为2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@5V，Pd功耗为820 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为440 ns 440 ns，上升时间为301 ns 301 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-12 V，Id连续漏极电流为630 mA 630 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V 60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.3 V 1.3 V，Rds漏极源极导通电阻为2.4欧姆2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为582 ns 582 ns，并且典型的开启延迟时间是131ns 131ns，并且Qg栅极电荷是0.74nC 0.74nCC，并且信道模式是增强。
带有用户指南的DMN61D8LVTQ-13，包括2V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于TSOT-26以及DMN61系列，该设备也可用于1.8 Ohm@150mA，最大Id Vgs上的5V Rds。此外，最大功率为820mW，该设备采用胶带和卷轴（TR）交替包装包装，该设备具有SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为12.9pF@12V，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为630mA。
带有电路图的DMN61D8LVT-13，包括630mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计用于0.74nC@5V，以及12.9pF@12V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为820mW，Rds On Max Id Vgs为1.8 Ohm@150mA，5V，系列为DMN61，供应商设备封装为TSOT-26，技术为Si，Vgs th Max Id为2V@1mA。
