9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2005UFGQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2005UFGQ-13参考价格为0.43320美元。Diodes Incorporated DMN2005UFGQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333。您可以下载DMN2005UFGQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如DMN2005UFGQ-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2004WK-7是MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3，包括DMN2004系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为200mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为540mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为550mOhm@540mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为540mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为550mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMN2004WK-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMN2004WK-7-F采用SC70-3封装，是IC芯片的一部分。
DMN2005，电路图由ZETEX/DIODES制造。DMN2005采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
