9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN6070SY-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6070SY-13参考价格为0.14302美元。Diodes Incorporated DMN6070SY-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3。您可以下载DMN6070SY-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN6070SY-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如DMN6070SY-13库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
DMN6070SFCL-7是MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN，包括DMN60系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-PowerUFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X1-DFN1616-6供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为600mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为606pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为4.1 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为12.3nC，并且前向跨导Min为2.6S，并且信道模式为增强。
DMN6070SSD-13带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如60 V，单位重量设计为在0.002610盎司的范围内工作，以及3.5 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作35ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为8-SO，系列为DMN60，上升时间为4.1 ns，Rds On Max Id Vgs为80 mOhm@12A，10V，Rds On Drain Source电阻为70 mOhm，Qg栅极电荷为12.3 nC，最大功率为1.2W，Pd功耗为1.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为588pF@30V，Id连续漏极电流为3.3 A，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.3A，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMN6069SFG-13，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于3.3 ns，提供Id连续漏电流功能，如18 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerDI-3333封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为930mW，Qg栅极电荷为14nC，Rds漏极-源极电阻为63mOhm，上升时间为5ns，系列为DMN6069，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3.6ns，单位重量为0.002540盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
DMN6069SFG-7具有EDA/CAD型号，包括SMD/SMT安装样式，它们设计为以单一配置操作，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，封装盒设计为在PowerDI-3333以及N沟道晶体管极性下工作，该器件也可作为增强信道模式使用。此外，该系列为DMN6069，该器件提供930mW Pd功耗，该器件具有63mOhms的Rds漏极-源极电阻，Vds漏极击穿电压为60V，上升时间为5ns，典型开启延迟时间为3.6ns，下降时间为3.3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为18A，Qg栅极电荷为14nC，典型关断延迟时间为12ns，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.002540盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
