起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.01932 | 2.01932 |
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描述
这些高压器件是使用SuperMESH开发的齐纳保护N沟道功率MOSFET™ STMicroelectronics的技术，是对成熟的PowerMESH的优化™. 除了导通电阻的显著降低外，这些器件的设计确保了高水平的dv/dt能力，以满足最苛刻的应用。
特征
•极高的dv/dt能力
•100%雪崩测试
•栅极电荷最小化
•非常低的固有电容
•齐纳保护
应用
•切换应用程序
（图片：引线/示意图）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STD 900 | 博普拉 (Bopla) | 附件种类: 使站立 包装: 散装 系列: Databoss | ¥261.10655 |
| STD1W-MINUS | 泰科航天 (TE) | STD1W-MINUS | ¥12.7475 |
| STD-MT-KT1 | 欧姆龙 (Omron) | MINISAFE MIRROR STAND MOUNTING K | ¥0.68025 |
 | STD-CIX-1-40M | 电波工业株式会社 (NDK) | 种类: MHz晶体 频率: 40兆赫 负载电容值: 8皮法 运行模式: 基本的 工作温度: -30摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥8.90877 |
 | STD24N06LT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 1.36W（Ta），62.5W（Tj） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥78.46958 |
| STD3055L104T4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3 | ¥169.87498 |
 | STD110N02RT4G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
 | STDLED627 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥56.69742 |
 | STD20NF06L | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.66974 |
| STDP9320-BB | 意法半导体 (STMicroelectronics) | ¥218.39009 |
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
