- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
N0412N-S19-AY
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta)、119W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.76151 | 13.76151 |
10+ | 12.39260 | 123.92602 |
100+ | 9.96116 | 996.11600 |
500+ | 8.18433 | 4092.16600 |
1000+ | 7.10014 | 7100.14200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.76151
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.76
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 供应商设备包装 TO-220
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5550 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 3.7毫欧姆 @ 50A, 10V
- 最大功耗 1.5W(Ta)、119W(Tc)
N0412N-S19-AY 产品详情
N0412N-S19-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),N0412N-S19-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。N0412N-S19-AY价格参考¥13.761510,你可以下载 N0412N-S19-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询N0412N-S19-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...