9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN31D5L-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN31D5L-13参考价格为0.05217美元。Diodes Incorporated DMN31D5L-13封装/规格：MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R。您可以下载DMN31D5L-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN3190LDW-13，带有引脚细节，包括DMN31系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-363供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为320mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为87pF@220V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1A，最大Id Vgs的Rds为190 mOhm@1.3A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2nC@10V，Pd功耗为320 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.6 ns，上升时间为8.9 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为2.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30.3ns，典型接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为2nC，正向跨导Min为700nS，信道模式为增强。
带用户指南的DMN3190LDW-7，包括2.8V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.000212 oz，典型开启延迟时间设计为15.6 ns，以及30.3 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，系列为DMN3190，上升时间为8.9 ns，Rds On Max Id Vgs为190 mOhm@1.3A，10V，Rds On漏极-源极电阻为190 m欧姆，Qg栅极电荷为2 nC，功率最大值为320mW，Pd功耗为320 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为87pF@20V，Id连续漏极电流为1A，栅极电荷Qg Vgs为2nC@10V，正向跨导最小值为0.7mS，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为15.6ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1A，配置为双，并且信道模式是增强。
DMN3150LW-F，电路图由DIODES制造。DMN3150LW-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
DMN3190LDW，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN3190LDW采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
