9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2015UFDF-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2015UFDF-13参考价格为0.14775美元。Diodes Incorporated DMN2015UFDF-13封装/规格：MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN。您可以下载DMN2015UFDF-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2013UFX-7，带有引脚细节，包括DMN2013系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-VFDFN暴露焊盘，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2 N信道（双）FET型公共漏极，最大功率为780mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为2607pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为10A，最大Id Vgs的Rds为11.5 mOhm@8.5A，4.5V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为57.4nC@8V，Pd功耗为2.14W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13.7 ns，上升时间为20.3 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42.5ns，典型导通延迟时间为8.6ns，Qg栅极电荷为57.4nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN2014LHAB-7，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.71 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作。数据表注释中显示了用于12 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压特性，如20 V。典型的开启延迟时间设计为6.9 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的U-DFN2030-6，系列为D014LHAB，上升时间为15.5 ns，Rds On Max Id Vgs为13 mOhm@4A，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为13 mOhm，Qg栅极电荷为16 nC，功率最大值为800mW，Pd功耗为1.7 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-UFDFN暴露垫，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为1550pF@10V，Id连续漏极电流为9 A，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，下降时间为12 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为9A，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMN2013UFDE-7是MOSFET MOSFET BVDSS：8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K，包括10.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于U-DFN2020-6的封装盒，该封装盒提供卷轴、Rds漏极电阻等封装功能，设计工作在50 mOhms，以及DMN2013系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，器件提供20 V Vds漏极-源极击穿电压。
DMN2015UFDE.TCT，SEMTECH制造的EDA/CAD模型。DMN2015UFDE.TCT采用DFN封装，是IC芯片的一部分。
