9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN31D6UT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN31D6UT-7参考价格为0.05996美元。Diodes Incorporated DMN31D6UT-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523。您可以下载DMN31D6UT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN31D6UT-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN3150L-7是MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3，包括DMN3150系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.4W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为28V，输入电容Cis-Vds为305pF@5V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3.8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.49 ns，上升时间为3.49ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为28V，Rds导通漏极-漏极电阻为72mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.02ns，典型接通延迟时间为1.14ns，沟道模式为增强。
DMN3150L，带有DIODES制造的用户指南。DMN3150L采用SOT23封装，是FET的一部分-单个。
DMN3150L-7-F，电路图由Diodes制造。DMN3150L-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
