9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN55D0UT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN55D0UT-7参考价格为0.35000美元。Diodes Incorporated DMN55D0UT-7封装/规格：MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523。您可以下载DMN55D0UT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN53D0LW-7带有引脚细节，包括DMN53系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有420 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为2.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为250 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.9ns，典型接通延迟时间为2.7ns，Qg栅极电荷为1.2nC，正向跨导最小值为80mS，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMN53D0U-13，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于50 V，提供0.000282盎司等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为2.1 ns，以及21 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联DMN53，上升时间为2.8ns，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，Qg栅极电荷为0.6nC，Pd功耗为520mW，封装为卷轴，封装外壳为SOT-23-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为300 mA，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN53D0U-7，包括增强通道模式，它们设计为单配置运行，数据表注释中显示了14 ns的下降时间，提供了300 mA等Id连续漏电流功能，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-23-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为520mW，Qg栅极电荷为0.6nC，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，上升时间为2.8ns，系列为DMN53，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为2.1ns，单位重量为0.000282 oz，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极电压为12V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
