9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHF520STRL-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHF520STRL-GE3参考价格为0.58750美元。Vishay Siliconix SIHF520STRL-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK。您可以下载SIHF520STRL-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF520PBF是MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供60 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为8.8ns，沟道模式为增强。
IRF520NSTRLPBF是MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作200mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为16.7 nC，该器件提供47 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为9.5 a。
IRF520NSTRP，带有由IR制造的电路图。IRF520NSTRP以TO-263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRF520S是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK。IRF520S有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 9.2B D2PAK、N沟道100V 9.2V（Tc）3.7W（Ta）、60W（Tc）表面安装D2PAK，Trans MOSFET N-CH200V 9.2A 3-Pin（2+Tab）D2PAK。
