9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMN26D0UFB4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN26D0UFB4-7参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN。您可以下载DMN26D0UFB4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN26D0UDJ-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963，包括DMN26系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-963等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SOT-963供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET型，最大功率为300mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为14.1pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为240mA，最大Id Vgs上的Rds为3 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1.05V@250μA，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.2 ns，上升时间为7.9 ns，晶体管极性为N沟道。
DMN2600UFB-7是MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN26，以及600 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DFN-1006-3，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏极电流为1.3A，配置为带栅极保护二极管的单通道。
DMN2600UFB-7B，电路图由Diodes制造。DMN2600UFB-7B采用SMD封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A Automotive 3引脚DFN T/R。
