STD70NS04ZL

Name: STD70NS04ZL
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7146421-STD70NS04ZL
Price: 5.646710 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 33伏漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 70A (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1800 pF @ 25 V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
最大功耗 110W（Tc）
供应商设备包装 DPAK
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 5 V
导通电阻 Rds(ON) 10.5毫欧姆@30A，10V
漏源电压标 (Vdss) 33伏

STD70NS04ZL 产品详情

这种完全钳位的功率MOSFET是通过使用最新的先进公司Mesh OVERLAY工艺生产的，该工艺基于新颖的带状布局。新技术的固有优势加上额外的夹紧能力，使该产品特别适合最恶劣的操作条件，如汽车环境中遇到的操作条件。还建议任何其他需要额外加固的应用。

特色

低电容和栅电荷
175°C最高接合温度
100%雪崩测试

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型号	制造商	描述	价格
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STD3055L104T4G	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 60V 12A DPAK-3	¥169.87498
STD110N02RT4G	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 24伏漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta）、110W（Tc）供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.40416
STDLED627	意法半导体 (STMicroelectronics)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥56.69742
STD20NF06L	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.66974
STDP9320-BB	意法半导体 (STMicroelectronics)		¥218.39009

STD70NS04ZL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STD70NS04ZL 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STD70NS04ZL价格参考￥5.646710，你可以下载 STD70NS04ZL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STD70NS04ZL规格参数、现货库存、封装信息等信息！