- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
N0400P-ZK-E1-AY
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 1W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 9.70548 | 9.70548 |
10+ | 8.69872 | 86.98723 |
100+ | 6.78007 | 678.00790 |
500+ | 5.60093 | 2800.46750 |
1000+ | 4.47538 | 4475.38800 |
2500+ | 4.47538 | 11188.47000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥9.70549
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.71
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
- 工作温度 150摄氏度
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 供应商设备包装 TO-252
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF@10 V
- 最大功耗 1W(Ta),25W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 7.5A, 4.5V
N0400P-ZK-E1-AY 产品详情
N0400P-ZK-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),N0400P-ZK-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。N0400P-ZK-E1-AY价格参考¥9.705486,你可以下载 N0400P-ZK-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询N0400P-ZK-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...