9icnet为您提供由Wolfspeed，Inc.设计和生产的C2M0045170P，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。C2M0045170P参考价格为93.00000美元。Wolfspeed，Inc.C2M0045170P封装/规格：SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4。您可以下载C2M0045170P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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C2M0025120D是MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247，包括Z-FET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3以及SiC技术，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为463W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），输入电容Ciss Vds为2788pF@1000V，FET特性为碳化硅（SiC），电流连续漏极Id 25°C为90A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为34mOhm@50A，20V，Vgs最大Id为2.4V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为161nC@20V，Pd功耗为463W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为28.4 ns，上升时间为31.6 ns，Vgs栅极-源极电压为-10 V+25 V，Id连续漏极电流为90 A，Vds漏极-源极击穿电压为1200 V，Vgs第栅-源极阈值电压为2.4 V，Rds漏极源极电阻为25 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.8ns，典型接通延迟时间为14.4ns，Qg栅极电荷为406nC，正向跨导最小值为23.6S，信道模式为增强。
C2M0040120D是MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247，包括2.8V@10mA Vgs th Max Id，设计用于与TO-247-3供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于Z-FET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如52 mOhm@40A，20V，Power Max设计用于330W，以及管封装，该设备也可以用作to-247-3封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备提供通孔安装型，该设备具有1893pF@1000V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为115nC@220V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特征为碳化硅（SiC），漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc）。
带电路图的C2LG72，包括盖板-导线管、卡扣式附件类型，其设计为灰色、浅色，用于相关产品，如数据表注释所示，用于Panduit导管-开槽、实心和圆孔-D2X、E2X、F2X、FS2X、G2X和S2X型，具有0.350“（8.90mm）等高度特征，长度设计为36.0”（914.4mm），与PANDUCTR C型系列一样，该设备也可用于2.250“（57.15mm）宽。
c2m0045170d，采用CREE制造的EDA/CAD模型。c2m0045170d在TO-247-3P封装中提供，是IC芯片的一部分，N沟道1700V 72A（Tc）520W（Tc）通孔TO-247-3，Trans-MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3引脚（3+Tab）TO-247管。
