9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2011UFDF-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2011UFDF-13参考价格为0.15750美元。Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13封装/规格：MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN。您可以下载DMN2011UFDF-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2011UFDE-13，带有引脚细节，包括DMN2011系列，它们设计用于卷筒包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供PowerDI等商标功能，包装盒设计用于UDFN2020-6，以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.97 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13.5 ns，上升时间为2.6 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为11.7 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型接通延迟时间为3.6ns，Qg栅极电荷为56nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN2010UDZ-7，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于U-DFN2535-6以及DMN2010系列，该设备也可在5.5A时使用7 mOhm，4.5V Rds最大Id Vgs。此外，最大功率为700mW，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有6-UDFN封装外壳暴露垫，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为2665pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为33.2nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双）公共漏极，FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为24V，电流连续漏极Id 25°C为11A。
DMN2009LSS-13-F，电路图由DIODES制造。DMN2009LSS-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
