9icnet为您提供Diodes Incorporated设计和生产的DMN6069SFGQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN6069SFGQ-13参考价格为0.30369美元。Diodes Incorporated DMN6069SFGQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333。您可以下载DMN6069SFGQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN6068LK3-13是MOSFET N-CH 60V 6A DPAK，包括DMN6068系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数信道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.12W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为502pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为68 mOhm@12A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.3nC@10V，Pd功耗为4.12 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.7 ns，上升时间为10.8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11.9ns，典型导通延迟时间为3.6ns，Qg栅极电荷为10.3nC，前向跨导Min为19.7S，信道模式为增强。
DMN6068SE-13是MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在3 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为3.6 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，系列为DMN6068，Rds On Max Id Vgs为68 mOhm@12A，10V，Rds On漏极-源极电阻为68 mOhm，Qg栅极电荷为10.3 nC，功率最大值为2W，Pd功耗为16 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-261-4、TO-261AA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为502pF@30V，Id连续漏极电流为5.6 A，栅极电荷Qg Vgs为10.3nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为4.1A（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
DMN6069SFG-13，带有电路图，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于3.3 ns，提供Id连续漏电流功能，如18 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用PowerDI-3333封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为930mW，Qg栅极电荷为14nC，Rds漏极-源极电阻为63mOhm，上升时间为5ns，系列为DMN6069，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3.6ns，单位重量为0.002540盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1V。
