9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN1053UCP4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN1053UCP4-7参考价格为0.15993美元。Diodes Incorporated DMN1053UCP4-7封装/规格：MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4。您可以下载DMN1053UCP4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN1032UCB4-7带有引脚细节，包括DMN10系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如U-WLB1010-4，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.16 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为5.6 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为0.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为38mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为3.3ns，Qg栅极电荷为3.2nC，沟道模式为增强。
带用户指南的DMN1045UFR4-7，包括400 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于12 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为93 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN10系列，该器件具有25 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为25 mOhms，Qg栅极电荷为4.8 nC，Pd功耗为1.26 W，封装为卷轴式，封装盒为X2-DFN1010-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.2 A，下降时间为48 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN1033UCB4-7，包括逻辑电平栅极FET功能，它们设计用于2 N通道（双）公共漏极FET类型，栅极电荷Qg Vgs如数据表注释所示，用于37nC@4.5V，提供安装类型功能，如表面安装，通道数量设计用于2通道，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件也可以用作4-UFBGA封装盒。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件提供1.45W功率最大，该器件具有DMN10系列，供应商器件封装为U-WLB1818-4，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道。
