9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的TN0106N3-G-P013，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TN0106N3-G-P013参考价格为0.83600美元。Microchip Technology TN0106N3-G-P013封装/规格：MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3。您可以下载TN0106N3-G-P013英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TN0106N3-G P002是MOSFET N-CH Enhancmnt模式MOSFET，包括卷轴封装，它们设计为以0.016000盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为3纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为350 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极-源极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6ns，典型接通延迟时间为2ns，沟道模式为增强。
TN0106N3-G是MOSFET 60V 3Ohm，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2 ns，典型的关闭延迟时间设计为6 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以3 ns上升时间提供，器件具有3欧姆的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1 W，封装为散装，封装盒为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为350 mA，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
TN0106N3-G P005是MOSFET N-CH Enhancmnt模式MOSFET，包括增强型沟道模式，它们设计用于350 mA Id连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个沟道功能，如1个沟道，包装盒设计用于to-92-3，以及卷筒包装，该器件也可以用作4.5欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
TN0106N3，带有SUPERTEX制造的EDA/CAD模型。TN0106N3在TO-92封装中提供，是FET的一部分-单个。
