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AONR36326C

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),20.5W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 供应商设备包装 8-DFN-EP (3x3)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.8毫欧姆 @ 12A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 540 pF @ 15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)、12A(Tc)
  • 最大功耗 3.1W(Ta),20.5W(Tc)
AONR36326C所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AONR36326C 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AONR36326C价格参考¥1.166831,你可以下载 AONR36326C中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AONR36326C规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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