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IGLD60R190D1SAUMA1
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IGLD60R190D1SAUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-LSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 69.22763 207682.91400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥69.22764
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥207,682.91
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 氮化镓
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大功耗 62.5W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -10伏
  • 供应商设备包装 PG-LSON-8-1
  • 包装/外壳 8-LDFN Exposed Pad
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 960°时为1.6伏A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 157 pF@400 V

IGLD60R190D1SAUMA1 产品详情

IGLD60R190D1SAUMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IGLD60R190D1SAUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGLD60R190D1SAUMA1价格参考¥69.227638,你可以下载 IGLD60R190D1SAUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGLD60R190D1SAUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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