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NVMFS3D0P04M8LT1G
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NVMFS3D0P04M8LT1G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Ta）、183A（Tc） 最大功耗: 3.9W (Ta), 171W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1500

数量 单价 合计
1500+ 12.03748 18056.22450
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.52536
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18,056.22
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 124 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 28A（Ta）、183A（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@30A，10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@2毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5827 pF @ 20 V
  • 最大功耗 3.9W (Ta), 171W (Tc)
  • 色彩/颜色 White

NVMFS3D0P04M8LT1G 产品详情

ON半导体肖特基势垒二极管

该ON半导体肖特基功率整流器采用肖特基势垒原理，使用势垒金属来产生最佳正向压降−反向电流交换。适用于低电压、高频整流以及续流和极性保护二极管，适用于各种表面安装应用，只要尺寸和重量更紧凑。

•无铅
•设计用于最佳自动化电路板组装
•应力保护防护
•环氧树脂模制外壳
•重量轻的11.7mg包装

标准

带有NSV、SBR或S前缀制造商零件号的产品为AEC-Q101汽车合格产品。

特色


•连续反向电压：最大125 V
•重复峰值正向电流：最大625 mA
•低反向电流：最大1 nA
•切换时间：典型值。1.5µs。

NVMFS3D0P04M8LT1G 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
NVME-31USBANVME-31USBA微连接公司 (Micro Connectors )M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP¥267.91487
NVMSTOR-ULTRA-1-1.5TNVMSTOR-ULTRA-1-1.5T莫比维尔科技公司 (Mobiveil)配套使用/相关货物: XCZU19EG, Zynq UltraScale+ 种类: 可编程门阵列 涵盖内容: 董事会¥78,462.3357
NVMFD5C466NLWFT1GNVMFD5C466NLWFT1G安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥11.29892
NVMFD5C672NLWFT1GNVMFD5C672NLWFT1G安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥9.92277
NVMFD5C478NLT1GNVMFD5C478NLT1G安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥7.31533
NVMFD5C462NLT1GNVMFD5C462NLT1G安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥11.29892
NVMFD5483NLWFT1GNVMFD5483NLWFT1G安盛美 (onsemi)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥3.94014
NVMFS5834NLWFT3GNVMFS5834NLWFT3G安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥9.11157
NVM100015NVM100015东电化 - Lambda (TDK)种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）¥1,247.22738
NVM100026NVM100026东电化 - Lambda (TDK)种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 24伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额）¥1,247.22738
NVMFS3D0P04M8LT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVMFS3D0P04M8LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFS3D0P04M8LT1G价格参考￥9.525355，你可以下载 NVMFS3D0P04M8LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFS3D0P04M8LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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