9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN24H11DSQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN24H11DSQ-13参考价格为0.16545美元。Diodes Incorporated DMN24H11DSQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R。您可以下载DMN24H11DSQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN24H11DSQ-13价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN2400UFD-7是MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3，包括DMN24系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如X1-DFN1212-3，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供400 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.54 ns，上升时间为7.28 ns，Id连续漏极电流为900 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds漏极-源极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为13.74ns，典型的接通延迟时间为4.06ns，Qg栅极电荷为0.5nC，沟道模式为增强。
DMN2400UV-7是MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563，包括900mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-563供应商设备封装，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于480mOhm@200mA，5V，提供功率最大特性，如530mW，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供36pF@16V输入电容Ciss Vds，该器件具有0.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为1.33A。
带有电路图的DMN2400UFDQ-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN2400，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
DMN2400UFDQ-7带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为使用卷筒封装，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供DMN2400等系列功能，晶体管类型设计为在1 N通道以及1通道数量的通道中工作。
