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6HP04MH-TL-W
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6HP04MH-TL-W

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 370毫安 (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.60858
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.61
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 最大功耗 600mW (Ta)
  • 供应商设备包装 SC-70FL/MCPH3
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.2欧姆 @ 190毫安, 10V
  • 包装/外壳 SOT-23-3扁平导线
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 370毫安 (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.84 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 24.1 pF@20 V
  • 材质 -

6HP04MH-TL-W 产品详情

6HP04MH-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),6HP04MH-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。6HP04MH-TL-W价格参考¥1.608576,你可以下载 6HP04MH-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询6HP04MH-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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