9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STD5N65M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STD5N65M6参考价格为0.71995美元。STMicroelectronics STD5N65M6封装/规格：MOSFET N-CH 650V DPAK。您可以下载STD5N65M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STD5N20LT4是MOSFET N-CH 200V 5A DPAK，包括STripFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为33W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为242pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为700 mOhm@2.5A，5V，Vgs的最大Id为2.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为6nC@5V，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.5 ns，上升时间为21.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型导通延迟时间为11.5ns，正向跨导最小值为6.5S，信道模式是增强。
STD5N52U是MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK，包括4.5V@50μA Vgs th Max Id，设计用于+/-30 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于525 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型开启延迟时间设计为11.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有D-Pak供应商器件包，系列为UltraFASTmesh？，上升时间为13.6ns，Rds On Max Id Vgs为1.5 Ohm@2.2A，10V，Rds On Drain Source Resistance为1.28 Ohm，Power Max为70W，Pd功耗为70W。封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为529pF@25V，Id连续漏极电流为4.4 A，栅极电荷Qg-Vgs为16.9nC@10V，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物和FET特性为标准，下降时间为15 ns，漏极到源极电压Vdss为525V，25°C的电流连续漏极Id为4.4A（Tc），配置为单一。
STD5N52K3是MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK，包括16 ns的下降时间，它们设计为以4.4 a Id连续漏电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为卷筒，器件提供70W Pd功耗，器件具有17nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为1.2欧姆，上升时间为11纳秒，串联为N沟道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为29纳秒，典型的接通延迟时间为9ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为525V，Vgs栅极-源极电压为30V。
STD5N20T4是由ST制造的MOSFET N-CH 200V 5A DPAK。STD5N20 T4可提供TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 5A DPE、N沟道200V 5A（Tc）45W（Tc）表面安装D-Pak、Trans MOSFET N-CH200V 5A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R。
