特色
- -3.4A，-200V，RDS（开启）=1.4Ω（最大值）@VGS=-10 V，ID=-1.7A
- 低栅极电荷（典型值10nC）
- 低铬（典型值12pF）
- 100%雪崩测试
应用
- 其他音频和视频
FQPF5P20RDTU
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.15A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 800
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 800+ | 6.32297 | 5058.38320 |
- 库存: 1600
- 单价: ¥6.32298
-
数量:
- +
- 总计: ¥5,058.38
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 最大功耗 38W (Tc)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-220F
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 430 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@1.7A，10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.15A（Tc）
FQPF5P20RDTU 产品详情
该P沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQPF5P20RDTU 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FQP572VVF075N | 泛达 (Panduit) | PATCHCORD FIBER OPTIC | ¥723.8739 |
| FQPF6N50C | 3.6A, 500V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥4.78031 | |
| FQP3N50CTF | 21A, 60V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥2.67987 | |
| FQPF9N25CRDTU | 8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.40416 | |
 | FQP22N30 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.53943 |
 | FQP27P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 120W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.78952 |
 | FQPF47P06 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.17728 |
 | FQPF7N80C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.08936 |
 | FQPF4N90C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.54411 |
 | FQPF8N80CYDTU | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.02082 |
FQPF5P20RDTU所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQPF5P20RDTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQPF5P20RDTU价格参考￥6.322979，你可以下载 FQPF5P20RDTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQPF5P20RDTU规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
