开关用N沟道MOS场效应晶体管
特色
•2.5V驱动器可用•低导通状态电阻RDS（开启）1=50 mMAX。（VGS=4.5 V，ID=2.0 A）RDS（开启）2=53 mMAX。（VGS=4.0 V，ID=2.0 A）RDS（开启）3=75 mMAX。（VGS=2.5 V，ID=2.0 A）
2SK3576-T1B-AT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: SC-96-3, Thin Mini Mold
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
- 部件状态 上次购买
- 包装/外壳 SC-96
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF@10 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.3 nC@4 V
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 2A, 4.5V
- 供应商设备包装 SC-96-3, Thin Mini Mold
2SK3576-T1B-AT 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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2SK3576-T1B-AT所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK3576-T1B-AT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK3576-T1B-AT价格参考￥1.292640，你可以下载 2SK3576-T1B-AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK3576-T1B-AT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
