- 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
特色
•1.8 V驱动器可用
•低导通电阻
RDS(开启)1=53 mΩ 最大值(VGS=–4.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)2=70 mΩ 最大值(VGS=–2.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)3=107 mΩ 最大值(VGS=–1.8 V,ID=–1.5 A)
起订量: 3000
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•1.8 V驱动器可用
•低导通电阻
RDS(开启)1=53 mΩ 最大值(VGS=–4.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)2=70 mΩ 最大值(VGS=–2.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)3=107 mΩ 最大值(VGS=–1.8 V,ID=–1.5 A)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...