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UPA1917TE-T1-AT

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: SC-95-6, Mini Mold Thin
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

  • 库存: 0
  • 单价: ¥1.29264
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,877.92
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 部件状态 上次购买
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 835 pF @ 10 V
  • 供应商设备包装 SC-95-6, Mini Mold Thin
  • 包装/外壳 SC-95-6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.1 nC @ 4 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 53毫欧姆 @ 3A, 4.5V

UPA1917TE-T1-AT 产品详情

  • 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用的MOSFET
  • 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性

特色


•1.8 V驱动器可用
•低导通电阻
RDS(开启)1=53 mΩ 最大值(VGS=–4.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)2=70 mΩ 最大值(VGS=–2.5 V,ID=–3.0 A)
RDS(开启)3=107 mΩ 最大值(VGS=–1.8 V,ID=–1.5 A)

UPA1917TE-T1-AT所属分类:分立场效应晶体管 (FET),UPA1917TE-T1-AT 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UPA1917TE-T1-AT价格参考¥1.292640,你可以下载 UPA1917TE-T1-AT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UPA1917TE-T1-AT规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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