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NP83P04PDG-E1-AY
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 供应商设备包装: TO-263
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 20.71469 | 20.71469 |
| 800+ | 15.43418 | 12347.34800 |
| 1600+ | 14.11561 | 22584.98400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥20.71469
-
数量:
- +
- 总计: ¥20.71
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 200 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-263
- 漏源电流 (Id) @ 温度 83A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 5.3毫欧姆 @ 41.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9820 pF@10 V
- 色彩/颜色 红色
NP83P04PDG-E1-AY 产品详情
NP83P04PDG-E1-AY 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NP80N055KLE-E1-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | NP80N055KLE-E1-AY - SWITCHINGN-C | ¥14.98976 |
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NP83P04PDG-E1-AY所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NP83P04PDG-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NP83P04PDG-E1-AY价格参考￥20.714694，你可以下载 NP83P04PDG-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NP83P04PDG-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
