9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFS5844NLT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFS5844NLT3G参考价格为0.43000美元。onsemi NVMFS5844NLT3G封装/规格：功率MOSFET，单N通道，。您可以下载NVMFS5844NLT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如NVMFS5844NLT3G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
NVMFS5844NLT1G是MOSFET SO8FL 60V，包括NVMFS584NL系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SO-8FL等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供107 W Pd功耗，该器件具有61 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为12 mOhm，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的NVMFS5834NLWFT1G，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NVMFS5833NL，以及9.3 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DFN-5，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为75A。
带有电路图的NVMFS5834NLWFT3G，包括75A Id连续漏电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供DFN-5等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及9.3 mOhms Rds漏源电阻，该设备也可以用作NVMFS5834NL系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为40V。
