9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHF22N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHF22N60E-GE3参考价格$4.23000。Vishay Siliconix SIHF22N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A TO220。您可以下载SIHF22N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHF15N60E-E3是MOSFET 600V280mOhm@10V15A N-Ch E-SRS，包括E系列，其设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于E系列，以及to-220-3包装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为180 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为33 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为15A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通-漏极-漏极电阻为280mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35nS，典型接通延迟时间为17nS，Qg栅极电荷为38nC，正向跨导最小值为4.6S。
SIHF22N60E-E3是MOSFET 600V180mOhm@10V21A N-Ch E-SRS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及E系列商品名，该器件也可以用作硅技术。此外，该系列为E系列，器件提供180 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有57 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为227 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为21A，正向跨导最小值为6.4S，配置为单一。
SIHF12N50C-E3是MOSFET N-CH 500V 12A TO-220，包括单一配置，它们设计为以3 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流运行，如数据表注释所示，用于12 a，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用卷筒封装，器件具有36W的Pd功耗，Qg栅极电荷为32nC，Rds漏极-源极电阻为460mOhm，系列为E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
