9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2300UFB-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2300UFB-7B参考价格为0.09633美元。Diodes Incorporated DMN2300UFB-7B封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN。您可以下载DMN2300UFB-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMN2300UFB4-7B是MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN，包括DMN2300系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在X2-DFN1006-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为64.3pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为175 mOhm@300mA，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.6nC@4.5V，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8V，Id连续漏极电流为1.3A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.95V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为3.5ns，Qg栅极电荷为1.6nC，正向跨导Min为40mS，信道模式为增强。
DMN2250UFB-7B是MOSFET N-CH MOSFET 20V，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于DMN22，以及250 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为X1-DFN1006-2，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有1.35 a的Id连续漏电流。
DMN2300U-7是由DIDDES制造的“MOSFET MOSFET BVDSS:8V-24V SOT23”。DMN2300U 7以SOT23-3封装形式提供，是IC芯片的一部分，并支持“MOSFET BVDSS：8V-24V SOT2 3，N沟道20V 1.24A（Ta）430mW（Ta）表面安装SOT-23，Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A汽车3引脚SOT-23 T/R，MOSFET BVDSS:8V-24V SOT23，3K”。
