9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN25D0UFA-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN25D0UFA-7B参考价格为0.09634美元。Diodes Incorporated DMN25D0UFA-7B封装/规格：MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN。您可以下载DMN25D0UFA-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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带有引脚细节的DMN2550UFA-7B，包括DMN25系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如X2-DFN0806-3，技术设计用于Si，以及1信道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供360 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为7.1ns，Qg栅极电荷为0.88nC，沟道模式为增强。
DMN2500UFB4-7是MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在6 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该装置也可以用作DMN25系列。此外，Rds漏极-源极电阻为700 mOhm，器件提供736.6 pC Qg栅极电荷，器件具有0.46 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为X2-DFN1006-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为810 mA，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMN2501UFB4-7是MOSFET MOSFET BVDSS：8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K，包括1 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供封装外壳功能，如X2-DFN1004-3，封装设计用于卷筒，以及700 mOhms Rds漏极源电阻，该装置也可以用作DMN25系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为20V。
