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DMNH6021SK3-13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: TO-252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
2500+ 2.42600 6065.02250
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  • 单价: ¥2.42601
  • 数量:
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-252-3
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 最大功耗 2.1W(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@12A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.1 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1143 pF@25 V

DMNH6021SK3-13 产品详情

Diodes的DMNH4015SSDQ和DMTH6016LSDQ双封装增强型MOSFET具有电阻和栅极电荷规格的低品质因数,最大限度地减少了功率损耗,从而实现了符合成本效益的高效汽车电源管理解决方案。
DMNH6021SK3-13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMNH6021SK3-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMNH6021SK3-13价格参考¥2.426009,你可以下载 DMNH6021SK3-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMNH6021SK3-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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