9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXKT70N60C5-TRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXKT70N60C5-TRL参考价格为20.08600美元。IXYS IXKT70N60C5-TRL封装/规格：MOSFET P-CH 600V 68A TO-268。您可以下载IXKT70N60C5-TRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXKR40N60C是MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247，包括IXKR40N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS ISOPLUS147，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为10 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为38 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.9V，Rds导通漏极-电源电阻为70m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为250nC，沟道模式为增强。
IXKR47N60C5是MOSFET 47安培600V 0.045 Rds，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以COOLMOS商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXKR47N60，上升时间为20ns，漏极-源极电阻Rds为40mOhm，Qg栅极电荷为150nC，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为47 A，下降时间为10 ns，通道模式为增强型。
IXKT70N60C5是MOSFET 70安培600V，包括单配置，它们设计为在-68 a Id连续漏电流下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装盒设计为在to-268-2以及管封装中工作，该设备也可以用作IXKT70N70系列。此外，该技术为硅，该器件提供P沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型P沟道，单位重量为0.158733盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-600V。
