9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHF23N60E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHF23N60E-GE3参考价格2.01729美元。Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 23A TO220。您可以下载SIHF23N60E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHF22N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 21A TO220，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于E系列，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为35 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为86nC，正向跨导最小值为6.4S，并且信道模式是增强。
SIHF22N65E-GE3是MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK，包括4 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为73 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为E系列，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为33ns，漏极-源极电阻Rds为180mOhms，Qg栅极电荷为110nC，Pd功耗为227W，封装为散装，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为22 A，正向跨导最小值为6.7 S，下降时间为38 ns，配置为单一。
SIHF22N60S-E3是MOSFET 600V N沟道超级结TO-220FP，包括59 ns的下降时间，它们设计为以9.4 S的最小正向跨导，Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了22 a的使用情况，该22 a提供了安装样式特征，如通孔，信道数量设计为在1个信道中工作，以及TO-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为250W，器件提供75nC Qg栅极电荷，器件具有160mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为68ns，串联为E，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V。
SIHF22N60E-E3是MOSFET 600V180mOhm@10V21A N-Ch E-SRS，包括管封装，其设计用于to-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计用于Si，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作E系列商品名。此外，该系列为E，该器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有6.4 S的正向跨导最小值，Qg栅极电荷为57 nC，Pd功耗为227 W，Id连续漏极电流为21 a，Vgs栅极-源极电压为20 V，Rds漏极源极电阻为180 mOhms，晶体管类型为1 N沟道，通道数为1通道，单位重量为0.211644盎司，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
