9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN5L06TK-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN5L06TK-7参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated DMN5L06TK-7封装/规格：MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523。您可以下载DMN5L06TK-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMN5L06TK-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMN5L06K-7是MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3，包括DMN5L06系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-65°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为50V，输入电容Cis-Vds为50pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为2 Ohm@50mA，5V，Vgs最大Id为1V@250μA，Pd功耗为350 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为300mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强。
DMN5L06K-7（5OV0.3A），带有DIODES制造的用户指南。DMN5L06K-7（5OV0.3A）采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
DMN5L06K-7-F，电路图由Fairchild制造。DMN5L06K-7-F采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
