2SK3479-Z-E1-AZ

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
• 部件状态 上次购买
• 最大栅源极电压 (Vgs) -
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 210 nC@10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11000 pF@10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 83A (Tc)
• 最大功耗 1.5W（Ta）、125W（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@42A，10V
• 供应商设备包装 TO-263, TO-220SMD