9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2501UFB4-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2501UFB4-7参考价格为0.10395美元。Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3。您可以下载DMN2501UFB4-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN24H3D5L-7，带引脚细节，包括DMN24系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为760mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为240V，输入电容Cis-Vds为188pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为480mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3.5 Ohm@300mA，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@10V，Pd功耗为1.26 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.2 ns，上升时间为2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为480mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Vgs第栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型导通延迟时间为2.3ns，Qg栅极电荷为6.6nC，信道模式为增强。
DMN2500UFB4-7是MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在6 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该装置也可以用作DMN25系列。此外，Rds漏极-源极电阻为700 mOhm，器件提供736.6 pC Qg栅极电荷，器件具有0.46 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为X2-DFN1006-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为810 mA，配置为单通道，通道模式为增强型。
带有电路图的DMN24H3D5L-13，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的DMN24，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
