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DMN95H2D2HCTI

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: ITO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 50

数量 单价 合计
50+ 14.73930 736.96510
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.73930
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥736.97
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 40W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 包装/外壳 TO-220-3全包装,独立接线片
  • 供应商设备包装 ITO-220AB
  • 漏源电压标 (Vdss) 950伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@3A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.3 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1487 pF@25 V
  • 种类 -
  • 色彩/颜色 黑色
DMN95H2D2HCTI所属分类:分立场效应晶体管 (FET),DMN95H2D2HCTI 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMN95H2D2HCTI价格参考¥14.739302,你可以下载 DMN95H2D2HCTI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMN95H2D2HCTI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

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