9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHB22N65E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHB22N65E-GE3价格参考2.85450美元。Vishay Siliconix SIHB22N65E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK。您可以下载SIHB22N65E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHB21N65EF-GE3带有引脚细节，包括EF系列，它们设计用于管式封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供D2PAK-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作1 N通道配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供208 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为71nC，正向跨导最小值为7S，沟道模式为增强。
SIHB22N60S-E3是MOSFET 600V N沟道超结D2PAK，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.050717盎司，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为68纳秒，Rds漏极-源极电阻为180毫欧，Qg栅极电荷为75 nC，Pd功耗为227 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为21 A，正向跨导最小值为9.4 S，下降时间为59 ns，配置为单一。
SIHB22N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK，包括单一配置，它们设计为在21 a Id连续漏极电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Tube，该器件提供227 W Pd功耗，该器件具有57 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为180 mOhms，系列为E，技术为Si，商品名为E系列，晶体管极性为N通道，晶体管类型为1 N通道，单位重量为0.050717盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SIHB22N60EL-GE3具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装。
