9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHF22N65E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHF22N65E-GE3价格参考2.90400美元。Vishay Siliconix SIHF22N65E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 650V 22A TO220。您可以下载SIHF22N65E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHF22N60E-GE3是MOSFET N-CH 600V 21A TO220，包括E系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于E系列，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为35 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为86nC，正向跨导最小值为6.4S，并且信道模式是增强。
SIHF22N60S-E3是MOSFET 600V N沟道超级结TO-220FP，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有E系列，上升时间为68纳秒，Rds漏极-源极电阻为160毫欧姆，Qg栅极电荷为75 nC，Pd功耗为250 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为22A，并且正向跨导Min为9.4S，并且下降时间为59ns。
SIHF22N60E-E3是MOSFET 600V180mOhm@10V21A N-Ch E-SRS，包括单一配置，其设计为以6.4 S正向跨导最小值，Id连续漏电流运行，如数据表注释所示，用于21A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有227 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为57 nC，Rds漏极-源极电阻为180 mOhm，系列为E，技术为Si，商品名为E系列，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
