9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMN2004WKQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMN2004WKQ-7参考价格为0.11642美元。Diodes Incorporated DMN2004WKQ-7封装/规格：MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323。您可以下载DMN2004WKQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMN2004VK-7是MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563，包括DMN2004系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@16V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为540mA，最大Id Vgs的Rds为550mOhm@540mA，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为36.1 ns，上升时间为13.3 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为540mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极导通电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53.5ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
DMN2004TK-7是MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如8.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMN2004系列，该器件的上升时间为9.1 ns，漏极电阻Rds为550 mOhms，Pd功耗为150 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-523-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为540 mA，下降时间为9.1 ns，配置为单一，通道模式为增强。
DMN2004TK-7-F，电路图由DIODES制造。DMN2004TK-7-F采用SOT-523封装，是IC芯片的一部分。
DMN2004VK-7-G，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMN2004VK-7-G采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
