NVMTS001N06CTXG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 53.7A (Ta), 376A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 244W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 42.78344 | 128350.34400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥21.39169
-
数量:
- +
- 总计: ¥128,350.34
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 113 nC@10 V
- 供应商设备包装 8-DFNW (8.3x8.4)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 53.7A (Ta), 376A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8705 pF @ 30 V
- 最大功耗 5W (Ta), 244W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 910毫欧姆@50A，10V
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NVMTS001N06CTXG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVMTS001N06CTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMTS001N06CTXG价格参考￥21.391688，你可以下载 NVMTS001N06CTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMTS001N06CTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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