9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIHD7N60ET5-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIHD7N60ET5-GE3参考价格为0.94050美元。Vishay Siliconix SIHD7N60ET5-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA。您可以下载SIHD7N60ET5-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIHD7N60ET1-GE3带有引脚细节，包括E系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于E系列，以及to-252-3包装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强型。
带有用户指南的SIHD3N50D-E3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了E等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
带有电路图的SIHD5N50D-E3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，系列如数据表注释所示，用于提供Si等技术特性的E，晶体管极性设计用于N通道以及1个N通道晶体管类型。
